FF200R12KS4 - Infineon Eesti Sales

Bränd Infineon
Toode FF200R12KS4
Kirjeldus Módulo IGBT
Sisekood IMP3393393
Kaal 1
Tehnilised kirjeldused Configuración: Dual Colector-Emisor Voltaje VCEO Máx: 1200 V Voltaje de saturación colector-emisor: 3.2 V Corriente continua de colector a 25 C: 275 A Corriente de fuga de puerta-emisor: 400 nA Pd - Disipación de potencia: 1400 W

Palun saatke meile oma päring, et saada teavet toote Infineon - FF200R12KS4 Módulo IGBT hinna ja tarneaja kohta. Anname teile nõu ka muude mudelinumbrite osas. Püüame leida teile parima hinna ja tarneaja Saksamaa tööstusturul.

Müüme ainult uusi ja originaaltooteid.

Sama tooted Infineon

TT251N14KOF

Material Original (REF: 183575) TIRISTOR/16S9

TT25N12 LOF

TIRISTOR

TT36N12 LOF2OJ2

módulo tiristor

TT425N12KOF

Módulo de energía

TT500N16KOF

Módulo de semiconductores discretos

TT92 N 14 KOF13N3

POWERBLOCK

FP50R12KT3 RoHS-compliant*

circuito, Material: 24863 Carga/lote-No:hum9424

DD350

DIODO

DD350N

DIOT

G30N60HS TO-220

Módulo de potencia

TT104N14KOF, IGBT

Módulos de potencia

FS300R12KE3

Cumple con RoHS*

215 TT B6C 110 N OBSOLETE

módulo tiristor

FS150R12KE3

Módulo IGBT 1200V 150A FL BRIDGE

TT251N16KOF-A

Tiristor de control de fase

TT251N16KOF-K

Tiristor de control de fase

TCA3727G

Motor

Taotluse saamiseks võtke meiega ühendust